lol竞猜官网_lol比赛竞猜_lol竞猜平台 国际 霍尔传感器的原理及应用【lol竞猜官网】

霍尔传感器的原理及应用【lol竞猜官网】

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lol竞猜平台-霍尔效应原理霍尔效应是一种磁电效应,是霍尔(A.H.Hall,1855-1938)在1879年研究金属导电机理时发现的。后来发现半导体和导电流体也有这种效应,半导体的霍尔效应比金属强很多。由这种现象制成的各种霍尔元件广泛应用于工业自动化技术、检测技术和信息处理中。

霍尔效应是研究半导体材料性质的基本方法。用霍尔效应实验测量霍尔系数,需要区分半导体材料的导电类型、载流子浓度和载流子迁移率等最重要的参数。流体中的霍尔效应是研究MHD发电的理论基础。

根据霍尔效应原理,霍尔势大小不同:Rh为霍尔常数,与半导体材料有关;IC是霍尔元件的偏置电流;b为磁场强度;d是半导体材料的厚度。对于等效的霍尔元件,Vh几乎不同于测量的磁场强度。

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霍尔元件通常有四个引线端子,其中两个是霍尔元件的偏置电流集成电路的输出端子,另外两个是霍尔电压的输入端子。如果两个输入端子包含外部电路,则不会产生霍尔电流。一般来说,原始偏置电流一般是从外部参考电压源获得的;如果精度抑制较低,基准电压源将被恒流源取代。

为了超过低灵敏度,一些霍尔元件在传感面上装有高磁导率的坡莫合金;这类传感器的霍尔电位较小,但在0.05T左右常出现饱和状态,限制了在低量限、小量程下使用。近年来,由于半导体技术的快速发展,各种类型的新建霍尔元件经常出现。这些组件可以分为两类,一类是线性组件,另一类是电源组件。

线性霍尔元件原理:UGN350lT是一种常用的三端线性霍尔元件。它由稳压器、霍尔发生器和放大器组成。UGN350lT可以非常方便地用来构成高斯计。使用起来非常非常简单,然后练习B=0,记下表的指示值VOH,然后把分析仪的端面贴在被测物体上,记下新的指示值VOH1。

VOH=VOH1-VOH,如果VOH0,则解释分析仪的端面测得n接近;相反,s接近。UGN3501T的灵敏度为7V/T,因此可以测量适当的磁感应b。

如果使用数字电压表,获得图1右图中的线性高斯计。运算放大器采用高精度运算放大器CA3130。该电路的显式调零方法如下:接通电源后,让B=0,调整W1使DVM显示值为零,然后在分析仪端面贴一个标准的Nd-Al-B磁钢(B=0.1T),调整W2使DVM显示值为1V。

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如果高斯计的指示值为-200mV,分析仪端面检测到S接近,磁场强度为0.02T,这个高斯计也可以用来测量交变磁场,但DVM不要改回交流电压表。图1中使用的电路似乎可以方便地扩展普通数字万用表的功能。

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